收藏本站
Si7462DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.20
1600
1400
0.16
0.12
0.08
V GS = 6.0 V
V GS = 10 V
1200
1000
800
600
400
C iss
0.04
200
C rss
C oss
0.00
0
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 100 V
I D = 4.1 A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 4.1 A
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.16
I D = 4.1 A
0.12
0.08
T J = 25 °C
0.04
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72136
S09-0227-Rev. C, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
SI7530DP-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7634BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
相关代理商/技术参数
SI7463ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:FET P-CH 40V 16.6A PPAK 8SOIC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET
SI7463DP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P POWERPAK
SI7463DP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 40V 11A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7463DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7463DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7463DP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC
SI7464DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET